《表2 不同硒化温度与时间条件下制得薄膜的光学带隙》

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《硒化温度对SnSe_2薄膜材料性能的影响》

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禁带宽度的计算采用如下方法：将波长λ换算成能量（hν=1 240/λ），把能量hν乘以对应的吸收率α，并再对其求平方，得到（αhν）2，以（αhν）2为y轴，能量hν为x轴作图，图线线性部分的切线与x轴的交点即是对应的禁带宽度。图5为制得薄膜样品根据上述方法得到的（αhν）2-hν图。表2为不同硒化温度与时间条件下制得薄膜的光学带隙Eg。从表2中可以看出，硒化温度为350℃、硒化时间为40min下制备的薄膜样品的光学带隙为1.46eV，这是最适合用作太阳光谱吸收的光学带隙。硒化温度升高，对应薄膜的光学带隙变大，400℃、硒化40min后，薄膜的光学带隙值达到1.68eV，这是随硒化温度升高薄膜中晶粒尺寸增大和逐渐有SnSe相出现造成的，这与文献报道的SnSe薄膜光学带隙值1.71eV[13]较为接近。对于350℃硒化30min样品的光学带隙较大的现象，将在2.4节进一步讨论。