《表2 以FTO为基底在不同退火温度下制得的Sn O2薄膜的电学性能参数》

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《SnO_2退火温度对钙钛矿太阳能电池性能的影响》

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利用范德堡法测试了沉积在FTO玻璃上不同退火温度Sn O2薄膜的电学性能，结果见表2。当Sn O2退火温度为180℃时，薄膜的电子迁移率最高，高的电子迁移率可以降低电子–空穴的复合率，有利于ETL中电荷的提取和转移，从而提升PSC的JSC。