《表2 在空气中不同温度下退火1 h对Pt薄膜晶粒尺寸和电学特性的影响》

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《退火工艺对磁控溅射生长的Pt薄膜微观结构及电性能的影响》

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图1为沉积态以及在不同温度下退火后的Pt薄膜XRD表征结果。所有样品的三强峰都出现在40.040°、46.534°、67.859°三个位置。与金属Pt的XRD标准卡片比对，发现制得的Pt薄膜为面心立方结构。其中最强峰（40.040°）为（111）晶向，说明薄膜沿该晶向择优生长，可能的原因是这种取向有利于表面能最小化[12-13]。经过退火，样品衍射峰强度增大，说明退火能有效增强薄膜的结晶化。表2列举了不同退火温度下样品（111）主峰的半高宽以及采用式（1）计算出的对应的平均晶粒尺寸。随着退火温度的升高，样品衍射峰（111）主峰形态保持对称，半高宽依次减小，表明薄膜晶粒尺寸随退火温度升高而增大。