《表1 不同氮化温度下 (AlCrWTaTiNb) N复合薄膜的晶粒尺寸、晶面间距和半峰宽Tab.1 Grain size, inter-planar spacing and full width a

《表1 不同氮化温度下 (AlCrWTaTiNb) N复合薄膜的晶粒尺寸、晶面间距和半峰宽Tab.1 Grain size, inter-planar spacing and full width a   提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《磁控溅射制备AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜低温等离子体氮化》


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根据XRD图谱计算出不同基底温度下的晶粒尺寸、晶面间距以及半峰宽，结果如表1所示.从表中可知，随氮化温度的增加，晶粒尺寸先增大后减小，氮化前晶粒尺寸是75nm，随着渗氮温度的提高，晶粒尺寸由250℃渗氮时的155nm减小至350℃时的143nm，衍射峰的半峰宽也逐渐增加.

图表编号XD0030076000    严禁用于非法目的
绘制时间2019.01.01
作者马铭、任瑛、侯晓多、陈国清、张贵锋
绘制单位大连理工大学材料科学与工程学院、大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室、河南工业大学材料科学与工程学院、大连理工大学材料科学与工程学院、大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室、大连理工大学材料科学与工程学院、大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室、大连理工大学材料科学与工程学院、大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室
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