《表1 不同退火温度的硅衬底Mo S2薄膜晶粒尺寸》
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《退火温度对MoS_2纳米薄膜微特性及光学性能的影响》
由图2可知不同退火温度下的MoS2薄膜在26.5°、27.5°等的位置上均出现了衍射峰,对应的生长方向如图所示,说明该薄膜在(004)方向呈现择优生长。对数据进行拟合分析和计算,得出半峰全宽和晶粒尺寸如表1示。
图表编号 | XD00129924500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.02.01 |
作者 | 成桢 |
绘制单位 | 西安文理学院应用物理研究所 |
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