《表1 衬底温度为150和300℃制备的不同膜厚的FTO薄膜表面的均方根粗糙度》

《表1 衬底温度为150和300℃制备的不同膜厚的FTO薄膜表面的均方根粗糙度》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《膜厚与紫外光辐照对反应溅射法制备的F掺杂SnO_2薄膜结构与光电性能的影响》


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表1为衬底温度为150和300℃时,不同厚度FTO薄膜表面均方根粗糙度。从表1可见,随着膜厚增加,2种衬底温度下制备的薄膜表面粗糙度均呈现先下降后增加的趋势。由于薄膜在衬底表面以岛状生长模式生长,所以当沉积时间短,即薄膜较薄时,岛与岛之间尚存在一些沟壑、孔洞而导致薄膜表面粗糙度较高。随着沉积时间的延长,薄膜厚度增加,沉积粒子可进一步填充沟壑、孔洞,从而表面粗糙度降低[26]。表面粗糙度开始明显下降对应的厚度当衬底温度为150℃时为160 nm,而当衬底温度为300℃时为40 nm,这与前述的高衬底温度导致表面沉积粒子的迁移能力增强有关。进一步延长沉积时间,薄膜表面可形成更大的颗粒,此时,薄膜表面粗糙度表现为随薄膜厚度增加而增大。