《表1 不同衬底温度下p-GaSb薄膜的电学性能参数》

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《GaSb热光伏电池的p层设计优化》

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不同衬底温度下p-GaSb薄膜材料的迁移率、载流子浓度和电导率如表1所示，当衬底温度较低时，薄膜材料中除了受主杂质接受价带电子产生空穴之外，还存在着数量较多的镓空位（VGa）和锑位镓（GaSb）等受主型缺陷，受主型缺陷接受材料中的电子形成大量空穴，使薄膜材料的空穴浓度较高而迁移率较低；随着衬底温度的升高，反应物原子获得足够的能量，具有较高的迁移能，在衬底表面充分移动，并相互结合生成化合物分子沉积下来，一方面抑制了VGa和GaSb等缺陷的产生，降低了空穴浓度，另一方面空穴浓度的降低减弱了载流子之间的散射作用，有助于迁移率的提高[15]。受载流子迁移率和浓度的影响，薄膜材料的电导率在衬底温度为500℃时达到最大值，约为47.50 S·cm-1。