《表1 不同氧通量VOx薄膜电学参数》

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《氧通量对钒氧化物薄膜的可控制备》

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不同氧通量VOx薄膜电学特性如表1所示。纯Ar氛围下为金属钒薄膜，方块电阻为1.51×101Ω/sq，V（Ar）:V（O2）=19:1薄膜电阻略微增大，V（Ar）:V（O2）=18:2薄膜方块电阻突然上升到2.62×106Ω/sq。一方面由于O2与V结合生成共价键，使薄膜中的载流子浓度骤降，同时由于成键，自由载流子被束缚，使载流子需要一定的激活能才可做共有化运动，导电更加困难，电阻增加。另一方面，由于O2的进入，缺陷增加，颗粒的尺度减小，晶界增加，导致晶格对电子的散射增加，从而降低载流子的迁移率。综上表明，通氧量可调控VOx的电学性能。通氧量V（Ar）:V（O2）=17:3的薄膜电阻过大，霍尔仪器中量程有限，未测出电阻。