《表1 不同背面P+集电极浓度对应的电学参数》

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《高压IGBT宽安全工作区设计》

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在未进行载流子存储层浓度优化之前，对背掺剂量进行过拉偏，拉偏结果见表1，随着背掺剂量的增加，器件的饱和电压降低，关断损耗增加，RB?SOA关断电流从200 A降低到75 A。