《表2 不同a-Si剩余膜厚对应的电学特性数据》

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《a-Si剩余膜厚对TFT特性的影响》

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在TFT开关器件中，为了提高和改善半导体层与源极、漏极的欧姆接触电阻需要增加n+非晶硅掺杂层，即非晶硅层由三层结构组成：低速沉积非晶硅（AL）、高速沉积非晶硅（AH）和掺杂n+非晶硅（n+a-Si），分别按照13.6%，63.7%，22.7%的比例沉积而成。其中n+a-Si主要为了减少源极、漏极与半导体的肖特基势垒，在沟道位置必须刻蚀掉，AL结构致密，是导电的主要通道，不能进行刻蚀，需要完整保留，AH刻蚀量需要保证n+a-Si全部刻蚀，AL不受影响，因此实验选定a-Si剩余膜厚范围在20%～75%之间，对应的TFT特性（开态、关态电流、开启电压、电子迁移率和开关电流比）的变化结果进行分析，实验结果数据如表2所示，变化趋势如图2所示。