《表3 不同a-Si刻蚀时间的测试结果》
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由于a-Si刻蚀与残留a-Si处理工序均是对a-Si层的刻蚀，如果刻蚀时间较短，会导致a-Si残留无法完全消除；而刻蚀时间较长，则会导致一定程度的栅绝缘层过刻，影响良率。因此，我们对aSi刻蚀与残留a-Si处理时间进行了不同组合的实验验证，其中T1
| 图表编号 | XD00140780700 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.04.01 |
| 作者 | 佟月、佟硕、王凤涛、曹洪韬、刘艳葵、耿红帅、李森、张鹏曲、卢凯、孙亮、张磊、陈思、王威 |
| 绘制单位 | 北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司 |
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