《表3 湿法刻蚀后同环境区域不同放置时间点状缺陷对比表》

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《晶硅太阳能单晶电池EL缺陷分析研究》

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从表2、3、4可以看出，对于湿法刻蚀后硅片，洁净度越差、硅片暴露时间越久对于EL点状缺陷的影响越严重，对于制绒后的硅片在洁净度满足一定要求的前提下未发现明显的EL点状缺陷。