《表2 不同刻蚀时间下刻蚀深度的变化》
| 图表编号 | B1666580666 |
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| 出版时间 | 2020.01.15 图表说明 ➫ |
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| 作者 | 孙伟业、邓军、何磊磊、杜欣钊 |
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| 研究主题 | 多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺 |
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| 出版单位 | 北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室、北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室、北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室、北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室 |
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| 下载格式 | JPG、GIF（含无水印/未压缩） |
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| 定制格式 | Excel、Word、PDF、PPT |
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《表2 不同刻蚀时间下刻蚀深度的变化》图表
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多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺中，表2为相同半径小球掩膜时不同刻蚀时间下GaAs衬底的刻蚀深度。图9为相应刻蚀时间与刻蚀深度的关系曲线。由曲线可得刻蚀深度与刻蚀时间基本呈线性关系，通过调节刻蚀时间，可以很好地控制光栅的高度。
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