《表2 不同刻蚀时间下刻蚀深度的变化》

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《多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺》

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表2为相同半径小球掩膜时不同刻蚀时间下GaAs衬底的刻蚀深度。图9为相应刻蚀时间与刻蚀深度的关系曲线。由曲线可得刻蚀深度与刻蚀时间基本呈线性关系，通过调节刻蚀时间，可以很好地控制光栅的高度。