《表1 不同刻蚀时间下小球直径及光栅上下占空比》
| 图表编号 | B1666581666 |
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| 出版时间 | 2020.01.15 图表说明 ➫ |
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| 作者 | 孙伟业、邓军、何磊磊、杜欣钊 |
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| 研究主题 | 多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺 |
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| 出版单位 | 北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室、北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室、北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室、北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室 |
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| 下载格式 | JPG、GIF（含无水印/未压缩） |
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《表1 不同刻蚀时间下小球直径及光栅上下占空比》图表
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多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺中，表1为小球直径与刻蚀时间的关系。通过对实验数据进行分析，发现实验数据可以很好地与H.Chiseki等人[13]提出的模型相拟合（D0为小球的初始直径；t为指刻蚀时间，k为由工艺参数所决定的常量；D为经过t时间刻蚀后形成的小球直径）。图8为不同刻蚀时间下小球直径的变化及理想的拟合曲线，当取k=11时，理想曲线与实验数据有很好的拟合效果。
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