《表1 不同刻蚀时间下的失重率Tab.1 Weight loss rate under different etching time》

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《碱刻蚀制备金字塔条件对多晶黑硅性能的影响》

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在硅片的碱刻蚀过程中保持其他条件相同，刻蚀时间不同，其失重率差异会很大，所以需要找到既符合刻蚀失重率要求、同时又能满足后续制备条件的黑硅反射率较低的一个时间点。本实验的工艺条件为:碱刻蚀溶液200m L，温度75℃，添加剂A为5m L·L-1，氢氧化钾溶液67.2g·L-1，刻蚀时间120~300s，每个时间点重复3次。用扫描电镜观察刻蚀后的硅片的表面形貌，计算平均失重率，检测后续制备成黑硅后的反射率情况，从而找出最佳刻蚀时间。刻蚀后多晶硅片失重率情况见表1。