《表2 a-Si处理实验测试结果》
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因此，在a-Si刻蚀后我们增加了对残留a-Si的处理工序，并对该工序的功率、压强、SF6、O2、He气体流量开展了5因子2水平的实验设计，其中W3
| 图表编号 | XD00140780500 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.04.01 |
| 作者 | 佟月、佟硕、王凤涛、曹洪韬、刘艳葵、耿红帅、李森、张鹏曲、卢凯、孙亮、张磊、陈思、王威 |
| 绘制单位 | 北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司 |
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