《表1 a-Si∶H薄膜沉积的参数》

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《基于沉积温度优化和后退火工艺改善a-Si∶H/c-Si界面钝化质量的研究》

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采用厚度为250μm、电阻率为5～10Ω·cm的N型CZ-Si硅片（磷掺杂）（100） 硅片作为衬底。对硅片进行双面抛光处理，以排除表面粗糙度对钝化质量的影响[18]。在非晶硅薄膜沉积之前，通过优化的RCA对硅片衬底进行预清洗，以去除其表面的金属污染和有机污染。与此同时，RCA过程也导致晶体硅表面形成氧化层。在此之后将清洗好的硅片浸入稀释的HF溶液中，以去除表面氧化层，之后放入热的去离子水中，持续60 min水浴，以进一步去除残余杂质并形成一层新的氧化层。在a-Si∶H薄膜沉积之前，样品被浸在稀释的HF溶液中用以去除氧化层并采用N2吹干后，迅速转移其到PECVD系统中，防止样品被再次污染和氧化。采用台阶仪（DektakXT，Bruker）来估计a-Si∶H薄膜的沉积速率，这种方法基于在CZ-Si衬底沉积上较厚的a-Si∶H薄膜（～500 nm），并根据沉积时间估算其沉积效率。对于本文所制备的样品，我们将本征非晶硅薄膜的厚度固定为10 nm，并在CZ-Si衬底双面进行a-Si∶H薄膜沉积。制备a-Si∶H薄膜时，沉积温度设定区间为32～224℃，H2流量固定在5 sccm，相关条件见表1。