《表1 Cr N薄膜沉积参数》

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《HiPIMS技术低温沉积CrN薄膜结构及性能研究》

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等离子体清洗结束后，开启Cr靶，通入设定流量下的Ar/N2混合气体，进行不同沉积参数下的Cr N薄膜沉积。BPH工作模式下选用Nano4Energy 10 k W型BPH电源，MPP工作模式选用Zpulser 20 k W型MPP电源，具体BPH及MPP放电模式波形如图1所示。不同放电模式下的Ar:N2气流量恒定为300:200 （m L/min），沉积时间为4 h，分别在50、100、150℃的薄膜沉积温度下进行调控；基体偏压选择floating及-50 V两种模式。为了与传统DCMS溅射工艺进行对比，采用DCMS工作模式，选用Huettinger PMP18型直流电源，设置Cr靶平均功率为6 k W，在相同气氛及100℃、floating/-50 V偏压条件下制备了Cr N薄膜，并进行了微观组织结构及力学性能的表征。具体系列Cr N薄膜沉积参数如表1所示。