《表1 HiPIMS和Pulsed DC共溅射Cr-Al-N薄膜的沉积参数》

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《高功率脉冲和脉冲直流磁控共溅射CrAlN薄膜的研究》

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利用HiPIMS610/610型HiPIMS和Pulsed DC复合磁控溅射系统分别在抛光后的Si片、304不锈钢和硬质合金基体上沉积CrAlN薄膜。HiPIMS电源和Pulsed DC电源分别连接Cr靶和Al靶，在炉腔内相对安装，靶基距均为50 mm，镀膜时靶材布局如图1所示。所有基片分别在脱脂剂、超纯水、酒精中超声清洗30 min，然后烘干装炉。先将真空抽至2.0×10-3 Pa，再加热试样至300℃，并通入氩气200 mL/min，通过控制节流阀保持工作压强为1.4 Pa，施加-800 V偏压，辉光清洗15 min，以去除基体表面杂质。之后开启Cr靶，保持偏压-800 V不变，再轰击清洗试样10 min。将氩气调至140 mL/min，调节节流阀使工作压强保持在0.65 Pa，沉积Cr过渡层15 min，厚度约250 nm。最后将氩气调至100 mL/min，通入40 mL/min氮气，开启Al靶，分别在0、-30、-60、-90、-120 V的偏压下沉积CrAlN涂层，沉积时间均为180 min，其中在0 V偏压下沉积CrAlN涂层时，样品接地。具体沉积参数如表1所示。