《表1 不同Mg靶溅射时间沉积薄膜的元素含量》

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《"溅射沉积Mg_2(Sn,Si)薄膜组织结构与导电性能"》

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根据图1的XRD谱分析，薄膜中Mg含量较高的S1和S2样品，其组织结构主要为立方的Mg2（Sn，Si）固溶体相；Mg含量低一些的S3样品，其组织结构中也主要是Mg2（Sn，Si）固溶体相，Mg2Si相不明显。对比考察22.7°附近衍射峰的峰位发现，对于S1和S2样品，其峰位略有差别，分别在23.13°和23.04°处。由于Si的原子半径（0.134 nm）小于Sn的原子半径（0.158 nm），峰位的移动可能是Mg2（Sn，Si）固溶体点阵中Si替换Sn的结果；S3样品的峰位可分解为22.74°和22.91°2个非常相近的峰，前者对应Mg2Sn相，后者则是Mg2（Sn，Si）固溶体相；S4、S5和S6样品的峰位都在22.74°处。这些微小结构变化与表1的元素含量变化相对应。表1中，S1、S2和S3样品的Si/Sn值分别为0.55、0.47和0.28，这表明薄膜中Si的相对含量（与Sn含量相比）逐渐减小。对于S4、S5和S6样品，Mg2（Sn，Si）固溶体相不存在，而是含有Mg2Sn相和金属Sn相及少量Mg2Si相。综上，可以认为，当薄膜中Mg含量减少到一定程度或Si/Sn比例降低到一定程度时，Mg2（Sn，Si）固溶体相不再存在，而是形成了Mg2Sn相和少量Mg2Si相，随着Mg含量进一步减少，Mg2Sn相含量减少，金属Sn相出现且含量逐渐增加，但Mg2Si相含量基本不变。