《表1 Ga2O3体单晶、外延薄膜及溅射层各元素结合能》
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但对于C1s,O1s,Ga2p,Ga3d的具体峰位,各科研单位的报道有所差别,根据现有报道的文献,对Ga2O3体单晶、外延薄膜及溅射层中各元素结合能数值进行了统计,各单位关于Ga2O3体单晶、外延薄膜及溅射层各元素结合能的测试结果如表1所示。可以看出测试结果基本接近,但溅射薄膜和外延层特征峰有双峰或多峰现象,如O1s的特征峰和Ga3d的特征峰,并且各个各元素结合能大小并不一致,略有漂移。为了进一步确定各元素结合能特征峰位及峰形,下面分别对β-Ga2O3晶体的Ga2p峰、Ga3d峰和O1s峰进行具体分析。
图表编号 | XD0039604300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.01.01 |
作者 | 程红娟、张胜男、练小正、金雷、徐永宽 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
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