《表1 不同Ir复合衬底上外延单晶金刚石膜质量比较》

《表1 不同Ir复合衬底上外延单晶金刚石膜质量比较》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名:随高清版一同展现
《异质外延单晶金刚石的研究进展》


  1. 获取 高清版本忘记账户?点击这里登录
  1. 下载图表忘记账户?点击这里登录

通过对比目前实现异质外延衬底上金刚石的形核与长大机理、过程不难发现,Ir复合衬底是最适宜单晶金刚石生长的衬底,也是目前唯一报道的获得大尺寸大厚度单晶金刚石膜的衬底,具体结果比较如图4和表1所示.由图4可知,目前在Si(001)上制备的金刚石马赛克度/tilt最小为3.9°,在3C-SiC(001)衬底上制备的金刚石马赛克度/tilt最小为0.52°,Ir(001)衬底上制备的金刚石马赛克度为0.064°.换言之,Ir(001)目前是唯一在报道过程中实现了单晶金刚石制备的衬底,其他衬底外延的金刚石多为马赛克晶体或者高定向晶体.由表1可知,外延金刚石膜的马赛克度与金刚石的厚度密切相关,Schreck团队目前仍然保持着制备尺寸最大为92 mm厚度为1.6 mm的最优记录,尽管日本Sawabe团队已经通过横向外延过度生长工艺实现了金刚石膜厚度为100μm而马赛克度为0.064°的突破,但是大厚度大尺寸目前还未见报道.