《表2 二次离子质谱 (SIMS) 检测衬底和外延层中的N含量》

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《4H-SiC外延层中堆垛层错与衬底缺陷的关联性研究》

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因为衬底表面与（0001）晶面的夹角是4?，因此由上述结果可知，在外延生长过程中，平行于（112ˉ0）晶面的BPD连线在（0001）晶面内沿着下台阶流方向移动，形成了基平面SF。进一步抛光至衬底以下，BPD连线仍然按照公式（1）的规律移动，说明这种SF来自Si C衬底。只是因为导电Si C衬底的N含量偏高，图1的PL谱中只显示外延层中的I类SF[21]。衬底和外延层中的N含量记录在表2中，其中外延层中的N含量小于检测设备的下限。在（11ˉ00）晶面方向观察I类SF的繁衍规律，如图3（a）所示。基平面型SF是相邻BPD在热应力的作用下滑移而产生的[26-27]。一般认为SiC晶体中的基平面SF形成能很小，约为14.7 m J/m2，导致这种位错缺陷很容易产生[28]。