《表1 单晶金刚石沉积参数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《用于小角散射原位加载测试的单晶金刚石窗口制备工艺研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

本文采用自行研发的穹顶式MPCVD装置，工作频率为2.45 GHz，最大输出功率为6 kW，采用Element6Ib型5×5×1 mm3HTHP单晶金刚石作为籽晶。为了保证外延生长的一致性，所选用的籽晶Raman半峰宽均为1.8 cm-1，XRD摇摆曲线半峰宽均为26arcsec。籽晶在放入腔室之前需要进行预处理，保持生长表面的整洁性，预处理流程如下:先对籽晶表面及侧面进行抛光处理，减少籽晶表面位错缺陷；接着用浓硫酸与浓硝酸的混合溶液（体积比5∶1）对籽晶加热酸洗30 min，清洗籽晶表面由于机械抛光残留的金属杂质；再用无水乙醇和丙酮对籽晶进行超声清洗，去除籽晶表面的有机残留；最后用氢氧等离子体对籽晶生长面进行刻蚀，去除籽晶表面由于机械抛光引起的缺陷，刻蚀时间为10 min。工作气源为高纯H2和CH4气体，氢气流量:400 sccm，工作气压18 k Pa，甲烷浓度设定在5%，沉积温度控制在900～1050℃。沉积工艺参数如表1所示。