《表1 金刚石薄膜的主要沉积参数》

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《氩气对金刚石膜碳价键、粒径和表面形貌的影响》

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采用HFCVD制备金刚石薄膜。气源CH4的流量定为10 cm3/min。Ar+H2的总流量为500 cm3/min，调节Ar和H2的流量比，使Ar体积占Ar+H2体积的比例分别为20%、40%、60%、80%及90%。热丝（钨丝）与基体距离为15 mm。用热电偶监测基体温度，使之保持为750℃。金刚石薄膜沉积时间为10 h，前1 h不通入氩气，1 h后通入氩气并调节氢气与氩气的流量比，沉积9 h，然后随炉冷却后取出样品。表1给出主要沉积参数。