《表1 纳米金刚石膜的沉积工艺参数》

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《氮气对纳米金刚石膜的生长结构及晶界处H含量的影响》

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金刚石膜沉积试验开始前先用100nm的金刚石粉对所有单晶硅片表面进行机械研磨处理20min，再将研磨处理后的硅片分别置于丙酮、无水乙醇、去离子水中各超声处理10min，以去除硅片表面的杂质，然后在氮气气氛中对单晶硅片干燥后置于反应腔中进行氢等离子体处理，进一步除去硅片表面可能存在的氧化物杂质。氢等离子体处理的具体参数为:微波功率700W，腔体气压4.0k Pa，基片温度550℃，氢气流量100m L/min，处理时间30min。氢等离子体处理完成后，关闭微波源并将腔体抽真空至0.1Pa后，再重新通入工作气体进行纳米金刚石膜的沉积试验，以排除氢等离子体处理过程中的氢气对试验结果的影响。试验中所用单晶硅片均经上述预处理工艺后，再进行金刚石膜的沉积试验。具体沉积工艺参数如表1所示。