《表1 HfN/HfB2纳米多层膜的沉积参数》

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《HfN/HfB_2纳米多层膜结构调制及其力学性能》

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通过FJL560C12真空射频磁控溅射系统在单面抛光的Si（100）基底上制备了HfN、HfB2和HfN/HfB2纳米多层薄膜；把HfN和HfB2（纯度为99.99%，靶材直径为6cm）化合物靶分别安装在两个射频磁控溅射源上，并保持靶-基距离为7cm，将Si基底用酒精和丙酮分别超声清洗25min，烘干后放入溅射腔室内的可转动样品台上，将腔室内的本底真空抽至低于3.5×10-4 Pa时，通入氩气，调节气压至3Pa和偏压至-300V，在氩气环境下对基底进行偏压清洗20min；整个实验过程中，HfN、HfB2、HfN/HfB2纳米多层膜的实验沉积参数见表1；制备单层薄膜的实验条件与多层薄膜的实验条件相同。试验中通过控制基底在每个靶材上空暴露的时间，并使基底在两个靶材之间交替往返运转来得到调制周期分别为20（30层），30（20层），35（17层），40（15层），45（13层），50（12层）和60nm（10层）的HfN/HfB2纳米多层膜，所有多层膜的总厚度保持在600nm左右，实验的整个过程都是由计算机控制。