《表1 制备Ti-Si-N纳米多层膜的各种制备工艺及其达到的最高硬度[19]》

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《Ti-Si-N纳米多层膜的研究进展》

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由表1可知，制备Ti-Si-N纳米多层膜的各种制备工艺及其达到的最高硬度，大多数都是采用化学沉积的方法或者磁控溅射技术沉积得到的Ti-Si-N纳米多层膜。虽然这些技术沉积的纳米多层膜Si含量可控范围更广，表面状态更好，但是对于满足工业生产需求，这两类技术不太适用。CVD技术沉积温度过高，促使刀具基体发生结构变化，磁控溅射技术沉积纳米多层膜结合力差，离化率偏低，生产效率也低，因此，这些技术手段并不适合工业生产。而多弧离子镀技术（CAIP）更适合工业生产，原因是CAIP沉积温度在300℃以下，在偏压作用下，纳米多层膜与基体之间结合力良好，同时该技术沉积速率较快，具有很高的离化率[34]。