《表1 TaN/TiSiN纳米多层膜的调制周期表》

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《调制周期对TaN/TiSiN纳米多层膜微观结构与性能影响》

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使用JCP-350M2真空多靶磁控溅射镀膜机在304不锈钢基片上沉积TaN/TiSiN纳米多层膜。沉积时，通入惰性气体Ar、N2分别作为保护气体和反应气体，总气压控制在0.3Pa左右。靶与基片距离为80mm。Ta靶和Ti Si靶分别由80W和200W的射频和直流电源控制，首次溅射前空溅10min，去除靶材表面的氧化层和杂质；并使用氩气轰击基片表面，清洁基片。为了提高基片与膜层的结合力，在基片上沉积TiN层作为底层。实验中TaN层和Ti SiN层的厚度由Ta靶和TiSiN靶挡板的交替定时开合进行控制。TaN和Ti SiN的沉积速率分别约为0.20nm/s和0.125nm/s。将TaN靶挡板开启的时间固定为50s，Ti SiN靶开启的时间为40s、80s、120s、160s、200s，获得不同调制周期的TaN/TiSiN纳米多层膜（见表1）。