《表1 TiAlN/AlON纳米多层膜调制周期表Tab.1 Modulation periods of TiAlN/AlON nanomultilayers》

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《TiAlN/AlON纳米多层涂层组织及性能研究》

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TiAlN靶和AlON靶分别由150W和80W的直流和射频电源控制，靶间距为80mm.首次溅射前需空溅10min，除去靶材表面的杂质及氧化物.纳米多层涂层由TiAlN靶和AlON靶交替沉积获得，通过控制靶挡板的开合时间控制纳米多层涂层中TiAlN和AlON的厚度，实验中TiAlN和AlON的沉积速率分别约为0.152，0.135nm/s.将TiAlN靶挡板开启的时间固定为15s（2.28nm），AlON靶开启的时间为2~10s（0.27~1.35nm），进而获得一系列不同AlON厚度的TiAlN/AlON纳米多层复合涂层（如表1所示）.在相同的实验条件下，制取TiAlN单层涂层，所有涂层厚度控制在1.5μm左右.