《表1 调制周期对残余应力的影响[72]》

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《减摩耐磨多层膜设计及研究进展》

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另外，沉积过程中残余应力存在不断累积的现象。可通过缩短调制周期、增加多层膜层数的方法实现残余应力的降低[30，64]。因为层与层之间的界面可以吸收沉积过程中产生的残余应力，并打断残余应力的累积。同时，缩短调制周期会增加层间化合物的生成，层间化合物纳米晶还可以通过弥散强化起到增韧的作用[25，66]。如表1所示，在贺腾飞等[72]研究的MoS2/DLC多层膜中，多层膜的残余应力均小于匀质单层膜，并且调制周期越短，残余应力越小。他们将其解释为界面是内应力的释放渠道，随着调制周期的缩短，多层膜内部界面增加，残余应力逐渐降低。然而，这并不意味着调制周期越短越好。彭燚等[73]通过调整工艺参数制备同材质的多层膜，并研究了调制周期对残余应力的影响。结果表明，存在最佳调制周期，使层间残余压缩应力最小（图10）。同时，残余应力最小的试样还具备最小的磨损率（图11），说明多层膜的残余应力的确可以影响其摩擦学性能。