《表1 CrAlSiN纳米复合涂层优化后的沉积工艺参数》

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《CrAlSiN纳米复合涂层的制备与组织结构表征》

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将真空室抽真空至真空度高于1.0×10-3 Pa时，通入Ar使工作气压保持在1.0 Pa，施加﹣800 V偏压，辉光清洗基片10 min。将工作气压调至0.5 Pa，开启（功率脉冲磁控溅射）HIPIMS电源，利用离子轰击清洗基片5 min，去除表面污物。降低偏压至﹣30 V，沉积Cr过渡层30 min。随后，通入反应气体N2，同时开启Si靶和Al靶，沉积CrAlSiN纳米复合涂层。通过交叉实验，获得优化后的沉积工艺参数如表1所示。