《表1 ALD沉积氧化铝纳米管一个循环的参数》
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《原子层沉积Al_2O_3纳米管弯曲模量的原位研究》
图2为Al2O3纳米管的制备流程,用聚碳酸酯(PC)径迹刻蚀多孔薄膜作为模板,首先进行基底预处理:将PC多孔模板紫外照射2 min或Piranha溶液处理30 min,然后在PC模板上沉积氧化铝。将处理过的PC多孔薄膜放入ALD反应腔中,反应腔室的温度设定为110℃,基片台温度为120℃,调整控制面板中的实验参数,如表1所示。
图表编号 | XD0017162700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.02.01 |
作者 | 孙成东秀、马晋遥、杨丽珍、陈强、张跃飞 |
绘制单位 | 北京印刷学院等离子体物理及材料研究室、北京工业大学固体微结构与性能研究所、北京工业大学固体微结构与性能研究所、北京印刷学院等离子体物理及材料研究室、北京印刷学院等离子体物理及材料研究室、北京工业大学固体微结构与性能研究所 |
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