《表1 ALD的特征、对薄膜沉积的内在影响及其实际应用中的优势》

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《太阳能电池用原子层沉积超薄氧化硅技术研究》

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ALD的表面反应具有自限制性（self-limiting），这种自限制性特征正是ALD技术的基础。不断重复这种自限制反应直至制备出所需厚度的薄膜。表1中列出了ALD的特征、对薄膜沉积的内在影响及其实际应用中的优势[5]。