《表1 离子源参数：温度对电子束沉积Nb_2O_5薄膜性能的影响》

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《温度对电子束沉积Nb_2O_5薄膜性能的影响》

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实验使用OPC-900型真空镀膜设备，以K9为基底，本底真空抽至1.5×10-3，在100℃、200℃和300℃不同温度条件下分别制备了550nm的氧化铌薄膜。采用离子源辅助沉积提高膜层质量。离子源工艺参量如表1所示，薄膜制备过程中的主要参量如表2所示。