《表1 基于Ir(100)衬底的不同膜系结构上金刚石的外延质量》
但硅与铱元素之间的化学反应使得Ir薄膜不能直接沉积于Si衬底,因此需要在Si衬底和Ir层之间沉积缓冲层。根据最底层衬底及缓冲层材料的不同,可以形成不同的多层膜结构,仅列出在Ir(100)晶面外延金刚石的生长质量,如表1所示。
图表编号 | XD0095303800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.09.01 |
作者 | 王杨、朱嘉琦、扈忠波、代兵 |
绘制单位 | 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所、哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所、哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所、哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |