《表2 金刚石在Ir上形核及生长过程的实验参数[59]》

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《铱衬底上异质外延单晶金刚石:过程与机理》

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衬底在微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）系统中共需经历H2清洗、甲烷稳定化处理、形核和金刚石薄膜生长四个过程，各步骤的参数如表2所示。对于形核过程，一般来说，形核密度越大，金刚石的生长质量越高，最常用的增强形核方法为偏压增强形核（Bias Enhanced Nucleation，BEN）法。在微波化学气相沉积系统中，既可以将负偏压直接施加到衬底上，也可以使衬底接地，在等离子体球上施加正电压[55-56]。