《表1 不同衬底上InGaN/GaN基LED的结晶特性和光学性能[23]》

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《Si(110)衬底上Ⅲ族氮化物薄膜的研究进展》

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AlN和GaN薄膜在Si（110）衬底上的高结晶质量显著提高了其LED器件的性能。刘战辉等人[11]比较了Si（110）和Si（111）衬底上InGaN/GaN多量子阱基蓝光发光二极管（LED）器件的发光强度，如图6所示。可以看出，Si（110）衬底上LED芯片的发光强度大于Si（111）衬底上的LED芯片，表明在相同驱动电流下Si（110）衬底上的LED芯片具有更好的发光效率。研究还发现Si（110）衬底上LED芯片具有较小的开启电压和更优异的发光特性。C.Y.Chen等人[23]还研究了Si（110）衬底的一维刻蚀对InGaN/GaN基LED结晶特性和光学性能的影响，如表1所示。可以看出，试样D（即Si （110）衬底沿着<>方向刻蚀时） 具有最强的输出功率、最低的器件电阻和最小的光谱偏移范围。