《表2 低温下InGaN/GaN的MQWs系列参量》
提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名：随高清版一同展现
《利用C-V法研究GaN基蓝光LED的多量子阱结构》
变温样品的杂质浓度分布曲线如图8所示．根据图8计算得到多量子阱结构参量随温度的变化如表2所示．
| 图表编号 | XD00173806900 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2020.05.20 |
| 作者 | 郑晓思、符斯列 |
| 绘制单位 | 华南师范大学物理与电信工程学院、华南师范大学物理与电信工程学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
