《表2 不同退火温度下Cu-Si O2薄膜的方均根粗糙度、峰高以及偏态等参量的大小》

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《纳米Cu/SiO_2薄膜制备及其性能》

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从图4的AFM图可知，在衬底为SiO2薄膜的工艺条件下，刚沉积在衬底上的Cu薄膜就有纳米Cu颗粒出现．当经过100～500℃退火处理后，随着退火温度的升高，纳米Cu薄膜颗粒从增大到减小再度增大．该衬底上纳米Cu薄膜颗粒与上述载玻片Cu薄膜颗粒相比，出现最大纳米Cu薄膜颗粒阵列对应的退火温度为300℃．此温度比在载玻片出现最大纳米Cu薄膜颗粒阵列的退火温度高100℃，同时纳米Cu薄膜阵列的颗粒也比以前的大得多，该纳米Cu阵列可用于制备超结构薄膜材料和完美吸收．但在退火温度为200℃时，Cu薄膜表面出现微小的Cu颗粒阵列，这样的Cu薄膜可以再次在上面包覆适当的Ag、Au等贵重金属，进而实现颗粒长大，实现表面增强拉曼效应．当退火温度为400℃与500℃时，纳米Cu阵列由稀疏逐渐变得密集起来．在400℃条件下，由于Cu薄膜内部缺陷的变化，纳米Cu颗粒阵列略微变得尖锐，当退火温度500℃时，纳米Cu颗粒又开始长大．另外，用原子力显微镜获得的纳米Cu-SiO2薄膜的表面形貌信息，通过NanoScope Analysis软件进行数据处理与分析，得到不同退火温度下Cu薄膜表面的方均根粗糙度、峰高以及偏态，如表2所示．