《表1 不同退火温度下Cu薄膜的方均根粗糙度、峰高以及偏态等参量的大小》

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《纳米Cu/SiO_2薄膜制备及其性能》

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由AFM图像可知，从未退火到退火温度为500℃范围，Cu薄膜表面逐渐生长出纳米Cu颗粒，并且随着退火温度上升，纳米Cu颗粒越来越密致，颗粒大小也有明显的差异．特别是当退火温度为200℃时，Cu薄膜表面生长出如雨后春笋的纳米Cu颗粒阵列，该纳米Cu阵列几乎可用于制备超结构薄膜材料和完美吸收．当退火温度为300、400和500℃时，纳米Cu阵列由稀疏逐渐变得密集起来．在400℃条件下，由于Cu薄膜内部缺陷的变化，纳米Cu颗粒阵列略微变得细小尖锐．当退火温度500℃时，纳米Cu颗粒又开始长大．另外，用原子力显微镜获得的纳米Cu薄膜的表面形貌信息，通过NanoScope Analysis软件进行数据处理与分析，得到不同退火温度下纳米Cu薄膜的方均根粗糙度、峰高以及偏态，如表1所示．