《表3 不同温度退火后Cu (111) 薄膜的晶粒参数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《真空退火对热蒸发纳米Cu薄膜性能的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

由XRD谱测出衍射峰的半高宽（FWHM），根据Scherrer公式即可计算出Cu（111）薄膜的晶格常数a及在不同退火温度下的Cu膜晶粒尺寸，结果见表3。从表3可知，随退火温度的升高，Cu薄膜晶粒尺寸也基本上呈增大趋势，当退火温度为500℃时Cu薄膜晶粒尺寸值最大，为26.39 nm。Cu薄膜的半高宽随退火温度的升高呈下降趋势，退火温度为500℃时Cu薄膜的半高宽最小，为0.30°。晶格常数和晶格常数误差在退火温度100~400℃中几乎保持不变，Cu薄膜a和相对晶格常数误差在退火温度为500℃时最小，将Cu薄膜的a值与标准值36.15 nm对比，得到晶格常数误差为0.055%。