《表2 不同退火工艺处理后的薄膜铂电阻参数》

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《退火工艺对薄膜型铂电阻热阻特性的影响探究》

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如表2所示是不同退火工艺处理后的薄膜铂电阻参数。从中可以发现退火后的薄膜铂电阻性能都要优于未退火的薄膜铂电阻，说明退火工艺确实可以有效的改善薄膜铂电阻的灵敏度、线性度。当退火时间都为30 min时，薄膜铂电阻的灵敏度和灵敏度都随着退火温度的增加而增大，这是因为随着温度的增加，铂薄膜中的内应力得到充分释放，铂薄膜由原来的介稳状态转变成相对稳定状态。而当退火时间都增加到60 min时，退火温度的增加使薄膜铂电阻的灵敏度减小，这是因为铂的再结晶温度在500℃左右[12]，长时间高于500℃的热处理，使得原本已经释放内应力的铂薄膜又产生了新的热应力，致使550℃和600℃热处理后的灵敏度和线性度都要比500℃热处理后的差。