《表5 450℃退火厚铜铟硒膜经不同剂量双离子注入后的电阻率》

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《铜铟硒膜及其离子注入后的光电特性研究》

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图6为450℃退火厚铜铟硒膜经不同剂量双离子注入后的禁带宽度。由图6可知，对450℃退火铜铟硒膜进行铝、钛的双注入离子，相比未注入样品的禁带宽度0.94 eV，发现通过改变双注入剂量可以在较大范围内对禁带宽度进行调制。相比单注入的禁带宽度情况而言，这种结果同样是Al与Ti的双注入综合协调的效果体现。就变化趋势整体而言，禁带宽度随双注入剂量增加而增加。