《表4 450℃退火厚铜铟硒膜经单离子注入后的电阻率》

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《铜铟硒膜及其离子注入后的光电特性研究》

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图5为450℃退火厚铜铟硒膜经单离子注入后的禁带宽度。由图5可知，相比未注入厚铜铟硒膜的禁带宽度（0.94 eV），注入铝离子增大了铜铟硒膜的禁带宽度（1.2 eV）。有相关文献报道，由于Al3+比In3+结合能大，所以随着铜铟硒薄膜中铝的掺杂越多，其禁带宽度越大[14]；另外铝掺杂可能取代一部分铟原子，导致导带底出现重新分布，导带底的位置随着铝含量增加向上移动[15]。此外我们发现，注入钛离子也能提高铜铟硒膜的禁带宽度（1.1 eV），同样可能是因为钛掺杂后取代一部分铟原子，影响导带底电子的分布，导带底位置向上移动。