《表2 200℃退火前后的比接触电阻率(单位:Ω·cm2)》
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《p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的热稳定性研究》
图3为各组样品在200℃氮气环境退火5min后测试的I-V特性曲线。由图1可知,0#样品Pd/Al/Ni在退火前测试的I-V特性曲线为直线,说明电极与p-GaN之间形成了良好的欧姆接触;但是经200℃退火5min后,测得的I-V特性曲线由直线变为曲线,说明接触退化严重,变为非欧姆接触;而其余组样品在200℃退火前后都能保持良好的欧姆接触,这说明NiO层对样品的热稳定性有显著影响。各组样品在200℃退火前后的比接触电阻率如表2所示。由0#和2#样品的I-V特性测试结果可以看出,NiO层不仅能保护接触不发生退化,而且随着退火温度的升高,还可以保持其低比接触电阻率。相反,随着退火温度的升高,没有NiO层的接触会严重退化。加入NiO阻挡层后样品的热稳定性明显提高,这可能是由于NiO在热退火过程中能有效阻挡上层金属对p-GaN的渗入,防止其破坏接触。
图表编号 | XD00129328800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.04.01 |
作者 | 左秉鑫、曾昭烩、李祈昕、李叶林、刘宁炀、赵维、陈志涛、李云平 |
绘制单位 | 中南大学材料科学与工程学院、广东省半导体产业技术研究院、广东省半导体产业技术研究院、广东省半导体产业技术研究院、广东省半导体产业技术研究院、广东省半导体产业技术研究院、广东省半导体产业技术研究院、广东省半导体产业技术研究院、中南大学粉末冶金国家重点实验室 |
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