《表2 不同退火温度下(STO/YSZ/GDC)4超晶格电解质薄膜的离子迁移活化能》

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《退火温度对(STO/YSZ/GDC)_4超晶格电解质薄膜的影响》

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离子迁移活化能是指发生化学反应所需要克服的能量障碍，即反应发生所需要的最小能量。活化能越小，反应速率越快，活化分子数越多，电导率越高。从表2可以看出，随着退火温度的增加，超晶格（STO/YSZ/GDC）4电解质薄膜相应的活化能逐渐减小。这主要是因为当退火温度升高时，晶格缺陷增加，这些缺陷会在能隙中形成杂质能级，与无缺陷时相比，这样就减小了相应的能隙，从而使d样品活化能最低，电导率达到最大[16]。