《表1 退火温度为800℃时(STO/YSZ/GDC)4超晶格电解质薄膜原子分数》

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《退火温度对(STO/YSZ/GDC)_4超晶格电解质薄膜的影响》

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图3为当退火温度为800℃时，（STO/YSZ/GDC）4超晶格电解质薄膜的EDX能谱，在EDX能谱中，元素Al、O来自基底Al2O3，而元素Ti、Sr、Y、Zr、Gd、Ce则来自（STO/YSZ/GDC）4超晶格电解质薄膜中的STO、YSZ和GDC层。表1为（STO/YSZ/GDC）4电解质薄膜原子百分含量的定量分析，从表中可看出，元素Ti、Ce与Zr的原子含量约为1∶1∶1，说明通过控制溅射次数可有效控制STO、YSZ、GDC层的厚度基本一致。