《表1 不同退火温度下CTSe薄膜中元素含量和组成比》

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《溶液法旋涂制备Cu_2SnSe_3薄膜》

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通过改变退火结晶的温度（300～350℃），研究温度对结晶性能的影响。为了减少基底对测量结果的影响，试验中增加了旋涂次数，制备的薄膜样品的厚度约为1μm，衬底采用钠钙玻璃。采用扫描电子显微镜的能量分散光谱仪（EDS）测量薄膜中元素的成分比例，结果如表1所示。同时通过化学定量分析得知，制备的晶体薄膜是一种由Cu、Sn、Se 3种元素组成的三元金属硒化物，在3个退火温度下制备的薄膜中元素组成比都与理论值2∶1∶3基本相符，初步确定化合物组成为Cu2SnSe3。