《表1 不同Ag靶功率下Ti Si N-Ag薄膜中各元素的含量》
由图4可知:随着Ag原子分数的增加,Ti N的晶粒尺寸先增加后减小,Ti Si N-Ag薄膜由Ti N相、非晶Si3N4相和单质Ag相组成,Si原子形成非晶Si3N4相;随着Ag含量的增加,Si/(Ti+Si)逐渐减小,相比于Ti Si N薄膜,Ti Si N-Ag薄膜中的非晶Si3N4相逐渐减少,非晶相阻碍Ti N晶粒的生长[11],非晶Si3N4相减少,对Ti N晶粒长大的阻碍作用减弱,Ti N的晶粒继续减小,在Ag元素加入后,单质Ag相呈弥散分布[12],可能位于Ti N的晶界处或嵌入非晶Si3N4相中,非晶Si3N4相包裹Ag单质相和Ti N相,所以Ag颗粒较小,表现为c-Ag衍射峰强度较小、宽化;当Ag原子分数大于8.21%时,Ti N晶粒持续减小,可能是Ti N晶界处的单质Ag相增多,阻碍了Ti N晶粒的生长;当Ag原子分数从0增至1.15%时,Si/(Ti+Si)从18.26%下降至15.46%,Ag含量较少,可能只存在于非晶Si3N4相中,没有在Ti N晶界处形成,没有阻碍Ti N晶粒生长,同时非晶Si3N4相减少,导致Ti N晶粒长大。
图表编号 | XD0010139800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.01.15 |
作者 | 管斌、许俊华 |
绘制单位 | 江苏科技大学材料科学与工程学院、江苏科技大学材料科学与工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |